Vishay E Series N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 40 A 250 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 65 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.51mm, MPN: SIHP065N60E-GE3
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Vishay E Series N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 40 A 250 W, 3-Pin TO-220AB
Specifications of Vishay E Series N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 40 A 250 W, 3-Pin TO-220AB | |
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