IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 80 A 1,3 kW, 3-Pin PLUS247, Drain-Source-Widerstand max.: 70 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 16.13mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IXFX80N60P3
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IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 80 A 1,3 KW, 3-Pin PLUS247
Specifications of IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 80 A 1,3 KW, 3-Pin PLUS247 | |
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