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IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 120 A 1,13 KW, 3-Pin PLUS247

About The : 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.13mm, Betriebstemperatur max

IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 120 A 1,13 kW, 3-Pin PLUS247, Drain-Source-Widerstand max.: 27 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 16.13mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IXFX120N30P3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 120 A 1,13 KW, 3-Pin PLUS247

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Specifications of IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 120 A 1,13 KW, 3-Pin PLUS247

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IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 120 A 1,13 KW, 3-Pin PLUS247
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SKF Keilriemen, 5L-Profil 17mm x 10mm x 1880mm, Außenlänge: 1931mm, Datumslänge: 1918mm, Riementyp: Unendlicher Riemen, MPN: PHG 5L740XP
    • SMC ZK2A Vakuumerzeuger, 12mm Düse, 74l/min, bis -0.91bar, Schalldämpfer: Ja, Eingangsdruck (max.): 0.35bar, MPN: ZK2A12K5CLA-08
    • Honeywell Safety aus Polyester Zweifach schwenkbar Fallschutzarretierung, Seillänge 1.8m, Tragkraft: 140kg, Gehäusewerkstoff: Nylon, MPN: 1033482
    • AIMONT DAHLIA 7GR03 Unisex Sicherheitsschuhe Weiß, mit Zehen-Schutzkappe Verbundmaterial, Größe 43 / UK 9, EN20345 S2, Schuhgröße US: 10, Zehenschutzkappe: Ja, ESD geschützt: Nein, Verschlussart: Keine, MPN: DAHLIA 7GR03 43
    • AIMONT DAHLIA 7GR03 Unisex Sicherheitsschuhe Weiß, mit Zehen-Schutzkappe Verbundmaterial, Größe 36 / UK 3,5, EN20345 S2, Schuhgröße US: 4,5, Zehenschutzkappe: Ja, ESD geschützt: Nein, Verschlussart: Keine, MPN: DAHLIA 7GR03 36
    • Souriau Rundsteckverbinder Stecker 3-polig Kabelmontage, Schraubanschluss, Anschlussart: Schrauben, MPN: UTSX6JC142G1S
    • IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 120 A 1,13 kW, 3-Pin PLUS247, Drain-Source-Widerstand max.: 27 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 16.13mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IXFX120N30P3
    • IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 80 A 1,3 kW, 3-Pin PLUS247, Drain-Source-Widerstand max.: 70 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 16.13mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IXFX80N60P3
    • IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 120 A 1,13 kW, 3-Pin PLUS247, Drain-Source-Widerstand max.: 27 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 16.13mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IXFX120N30P3
    • IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 80 A 1,3 kW, 3-Pin PLUS247, Drain-Source-Widerstand max.: 70 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 16.13mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IXFX80N60P3