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Vishay EF N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 8,4 A, 3-Pin TO-220

About The Vishay EF N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 8,4 A, 3-Pin TO-220, MPN: SiHA186N60EF-GE3

Vishay EF N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 8,4 A, 3-Pin TO-220, MPN: SiHA186N60EF-GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay EF N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 8,4 A, 3-Pin TO-220

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Specifications of Vishay EF N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 8,4 A, 3-Pin TO-220

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Vishay EF N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 8,4 A, 3-Pin TO-220
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onsemi EMV-Filter und ESD-Schutzvorrichtung Array komplex, Diodenkonfiguration: Komplexes Array, Anzahl der Elemente pro Chip: 8, Abmessungen: 3.3 x 1.35 x 0.5mm, Länge: 2.5mm, Breite: 1.35mm, MPN: EMI9408MUTAG
    • INA 4-Loch Flanschlager aus Gusseisen, Innen-Ø 45mm x 155mm, Lagereinheitstyp: Flanschlager-Einheit, Tiefe: 43.8mm, MPN: PME45-XL
    • 3M Tape, Cotton Friction; 60 ft.; 3/4 in.; degC; 0.015 in.; Woven Cotton Fabric, MPN: 1755-3/4X60FT

    3M Tape, Cotton Friction; 60 ft.; 3/4 in.; degC; 0.015 in.; Woven Cotton Fabric, MPN: 1755-3/4X60FT

    ; degC; 0.3M Tape, Cotton Friction; 60 ft.; 3/4 in.; Woven Cotton Fabric.

    • Vishay E N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 15 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,25 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 2 → 4V, MPN: SIHB17N80AE-GE3
    • Vishay E N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 15 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,25 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 2 → 4V, MPN: SIHB17N80AE-GE3