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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 105 A, 7-Pin D2PAK

About The Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 105 A, 7-Pin D2PAK, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IRFS4115TRL7PP

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 105 A, 7-Pin D2PAK, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IRFS4115TRL7PP

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 105 A, 7-Pin D2PAK

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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 105 A, 7-Pin D2PAK

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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 105 A, 7-Pin D2PAK
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Infineon Power Switch IC Hochspannungsseite 5,5 V max. 8 Ausg.

Infineon Power Switch IC Hochspannungsseite 5,5 V max. 8 Ausg.

Infineon Power Switch IC Hochspannungsseite 5,5 V max. 8 Ausg., MPN: ISO1H812GAUMA1.

    • Telemecanique Sensors Telemecanique zylindrisch Optischer Sensor, Reflektierend, Bereich 800 mm, NPN Ausgang, M12-Steckverbinder, Gleichspannung max.: 24V, Lichtquelle: LED, IP Schutzart: IP65, IP67, Strom max.: 100 mA, Reaktionszeit:
    • Toshiba TLP SMD Optokoppler / MOSFET-Out, 4-Pin, MPN: TLP241A(TP1,F(O

    Toshiba TLP SMD Optokoppler / MOSFET-Out, 4-Pin, MPN: TLP241A(TP1,F(O

    Toshiba TLP SMD Optokoppler / MOSFET-Out, 4-Pin.

    • Toshiba TLP SMD Optokoppler / Diode-Out, 6-Pin, Durchlassspannung max.: 1.65V, MPN: TLP2745(TP,E(T
    • EXACT HSS Bohrer Ø 8.3mm, 3 Schneiden, 90°, 31 mm, Bohrertyp: Kegelsenker, Schaftdurchmesser: 6,35 mm, MPN: 05642
    • Festo Hee Pneumatik-Steuerventil, manuell, 2/2 Closed, Monostable, G1/8, 1/8, Betriebsdruck (max.): 8bar, Betriebstemperatur (min.): -5°C, Betriebstemperatur (max.): +50°C, Modellnummer: 172957, MPN: HEE-D-MINI-110
    • Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 105 A, 7-Pin D2PAK, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IRFS4115TRL7PP
    • Yageo Dünnschicht SMD-Widerstand 330kΩ ±0.1% / 0.125W, 0805 (2012M) Gehäuse, MPN: RT0805BRD07330KL
    • Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 105 A, 7-Pin D2PAK, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IRFS4115TRL7PP
    • Yageo Dünnschicht SMD-Widerstand 330kΩ ±0.1% / 0.125W, 0805 (2012M) Gehäuse, MPN: RT0805BRD07330KL

    Yageo Dünnschicht SMD-Widerstand 330kΩ ±0.1% / 0.125W, 0805 (2012M) Gehäuse, MPN: RT0805BRD07330KL

    Yageo Dünnschicht SMD-Widerstand 330kΩ ±0.125W, 0805 (2012M) Gehäuse.1% / 0.