Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 200 mA, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 3,2 E+006 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 2.1V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: T2N7002AK,LM(T
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Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 200 MA, 3-Pin SOT-23
Specifications of Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 200 MA, 3-Pin SOT-23 | |
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