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Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 272 A 375 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The : -20 V, +20 V, Länge: 10.: 2,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 272 A 375 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 2,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: CSD19536KTTT

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 272 A 375 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Specifications of Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 272 A 375 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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