Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 9,9 A 31 W, 8-Pin PowerPAK ChipFET, Drain-Source-Widerstand max.: 33 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3.08mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SI5419DU-T1-GE3
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Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 9,9 A 31 W, 8-Pin PowerPAK ChipFET
Specifications of Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 9,9 A 31 W, 8-Pin PowerPAK ChipFET | |
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