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STMicroelectronics STripFET F7 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 100 A 125 W, 3-Pin TO-220

About The : 5,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.STMicroelectronics STripFET F7 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 100 A 125 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max

STMicroelectronics STripFET F7 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 100 A 125 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 5,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.4mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: STP100N6F7

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

STMicroelectronics STripFET F7 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 100 A 125 W, 3-Pin TO-220

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Specifications of STMicroelectronics STripFET F7 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 100 A 125 W, 3-Pin TO-220

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