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Transcend Arbeitsspeicher Für Server, 8 GB, 3200Mbit/s DDR4 UDIMM

About The Transcend Arbeitsspeicher für Server, 8 GB, 3200Mbit/s DDR4 UDIMM, Spannung: 1.2V, MPN: TS1GLH64V2BL

Transcend Arbeitsspeicher für Server, 8 GB, 3200Mbit/s DDR4 UDIMM, Spannung: 1.2V, MPN: TS1GLH64V2BL

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Transcend Arbeitsspeicher Für Server, 8 GB, 3200Mbit/s DDR4 UDIMM

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Specifications of Transcend Arbeitsspeicher Für Server, 8 GB, 3200Mbit/s DDR4 UDIMM

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Transcend Arbeitsspeicher Für Server, 8 GB, 3200Mbit/s DDR4 UDIMM
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Starrett HSS Lochsäge, Ø 89mm 1-Stk. / Bohrtiefe 38mm

Starrett HSS Lochsäge, Ø 89mm 1-Stk. / Bohrtiefe 38mm

Starrett HSS Lochsäge, Ø 89mm 1-Stk. / Bohrtiefe 38mm, Zentrierbohrer inkl.: Nein, MPN: FCH0312.

    • onsemi SuperFET III FCPF165N65S3 N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 19 A 35 W, 3-Pin TO220F, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 165 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V ac/dc, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, MPN: FCPF165N65S3L1
    • Yageo Dünnschicht SMD-Widerstand 1.5kΩ ±0.1% / 0.1W, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: RT0603BRD071K5L

    Yageo Dünnschicht SMD-Widerstand 1.5kΩ ±0.1% / 0.1W, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: RT0603BRD071K5L

    5kΩ ±0.Yageo Dünnschicht SMD-Widerstand 1.1W, 0603 (1608M) Gehäuse.1% / 0.

    • onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 51 A 63 W, 8-Pin PQFN8, Drain-Source-Widerstand max.: 12,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V, MPN: FDMS86183
    • onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 51 A 63 W, 8-Pin PQFN8, Drain-Source-Widerstand max.: 12,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V, MPN: FDMS86183