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Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 9 A 74000 MW, 3-Pin TO-220AB

About The : 400 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: +150 °C, MPN: IRL630PBF

Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 9 A 74000 mW, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 400 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -10 V, +10 V, Länge: 10.41mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IRL630PBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 9 A 74000 MW, 3-Pin TO-220AB

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Specifications of Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 9 A 74000 MW, 3-Pin TO-220AB

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Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 9 A 74000 MW, 3-Pin TO-220AB
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Cable Power Audiokabel Lautsprecherkabel 2-adrig 1,5 mm² PE, Außen-ø 6.6mm, L. 100m

Cable Power Audiokabel Lautsprecherkabel 2-adrig 1,5 mm² PE, Außen-ø 6.6mm, L. 100m

6mm, L.Cable Power Audiokabel Lautsprecherkabel 2-adrig 1,5 mm² PE, Außen-ø 6.: +90°C, Mantelfarbe: Rosa, Kabelprofil: Mehrleiter, Leitermaterial: Kupfer getempert, Leiterwiderstand: 13,3 Ω/km, Litzentyp: Litze, Aderlitzen: 30/0,24 mm, MPN: SC-2-100.: -25°C, Betriebstemperatur max.

    • Schurter SP 5X20 Feinsicherung F / 1.6A 5 x 20mm 250V ac Keramik, Betriebsspannung: 250V ac, UL-Klasse: UL 248-14, Sicherung Standard: IEC 60127, MPN: 0001.1006
    • NSK Serie PU, Lineare Führungsschiene, Edelstahl 15mm x 670mm 6600N, Dynamische Traglast: 5550N, MPN: P1U150670LKN-PCT
    • ABB AM2 Abdeckprofil B.

    ABB AM2 Abdeckprofil B.

    2m Galvanisierter Stahl für Is2-Gehäuse.SACEEM2002 400mm L.2m Galvanisierter Stahl für Is2-Gehäuse, Produkt Typ: Standstaubsauger, MPN: ABB.

    • NSK Serie PU, Lineare Führungsschiene, Edelstahl 15mm x 350mm 6600N, Dynamische Traglast: 5550N, MPN: P1U150350LKN-PCT
    • Panasonic Dickschicht SMD-Widerstand 180mΩ ±5 % / 1W, 0612 (1632M) Gehäuse, MPN: ERJD2CJR180V

    Panasonic Dickschicht SMD-Widerstand 180mΩ ±5 % / 1W, 0612 (1632M) Gehäuse, MPN: ERJD2CJR180V

    Panasonic Dickschicht SMD-Widerstand 180mΩ ±5 % / 1W, 0612 (1632M) Gehäuse.

    • ABB AM2 Abdeckprofil B.

    ABB AM2 Abdeckprofil B.

    450mm L. ABB AM2 Abdeckprofil B. 2m Galvanisierter Stahl für Is2-Gehäuse.

    • Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 9 A 74000 mW, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 400 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -10 V, +10 V, Länge: 10.41mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IRL630PBF
    • ABB AM2 Abdeckprofil B.

    ABB AM2 Abdeckprofil B.

    450mm L.2m Galvanisierter Stahl für Is2-Gehäuse, Produkt Typ: Standstaubsauger, MPN: ABB.SACEEM2003 450mm L. 2m Galvanisierter Stahl für Is2-Gehäuse.

    • Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 9 A 74000 mW, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 400 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -10 V, +10 V, Länge: 10.41mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IRL630PBF