Infineon OptiMOS™ N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 60 V / 137 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0028 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.3V, MPN: BSC028N06NSTATMA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS™ N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 60 V / 137 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6
Specifications of Infineon OptiMOS™ N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 60 V / 137 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6 | |
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