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Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, LSTTL 600 MA 10 → 20V 8-Pin 8-Leiter-PDIP 35ns

About The Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, LSTTL 600 mA 10 → 20V 8-Pin 8-Leiter-PDIP 35ns, MPN: IRS2104PBF

Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, LSTTL 600 mA 10 → 20V 8-Pin 8-Leiter-PDIP 35ns, MPN: IRS2104PBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Stromversorgung > Gate-Treiber

Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, LSTTL 600 MA 10 → 20V 8-Pin 8-Leiter-PDIP 35ns

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Specifications of Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, LSTTL 600 MA 10 → 20V 8-Pin 8-Leiter-PDIP 35ns

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Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, LSTTL 600 MA 10 → 20V 8-Pin 8-Leiter-PDIP 35ns
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STMicroelectronics TVS-Diode Uni-Directional Einfach 35V 16.6V min., 2-Pin, THT 15V max R 6, Höchstzulässige Pulsverlustleistung: 5000W, Impulsspitzen-Strom max.: 1714A, Betriebstemperatur min.: -65 °C, Abmessungen: 9.1 x 9.1 x 9.1mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: BZW50-15
    • Schneider Electric Harmony Control Überwachungsrelais 65 → 260V ac/dc 1-phasig, 1-poliger Wechsler Überspannung,, Spannungsmessbereich: 65 → 260V ac/dc, Spannungsempfindlichkeit: Überspannung, Unterspannung, Selbstversorgend, Montage Typ: DIN-Schienen, Verzögerungszeit: 0,1 → 10s, Better World-Produkt: Ja, Better World-Verifizierung: Green Premium, Abmessungen: 72 x 17.5 x 90mm, Länge: 72mm, Betriebstemperatur max.: +50°C, MPN: RM17UAS15
    • Yageo Dickschicht SMD Festwiderstand 270Ω ± 1.0% / 125mW, 0805 (2012M) Gehäuse, MPN: RC0805FR-07270RL

    Yageo Dickschicht SMD Festwiderstand 270Ω ± 1.0% / 125mW, 0805 (2012M) Gehäuse, MPN: RC0805FR-07270RL

    0% / 125mW, 0805 (2012M) Gehäuse.Yageo Dickschicht SMD Festwiderstand 270Ω ± 1.

    • STMicroelectronics STripFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 16 A 45 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 100 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Höhe: 4.6mm, Länge: 10.75mm, MPN: STB16NF06LT4
    • Vishay MRS16 Dünnschicht Widerstand 180Ω ±1% / 0.4W, Temperaturkoeffizient: ±50ppm/°C, MPN: MRS16000C1800FCT00
    • Yageo Dickschicht SMD Festwiderstand 270kΩ ± 1.0% / 125mW, 0805 (2012M) Gehäuse, MPN: RC0805FR-07270KL

    Yageo Dickschicht SMD Festwiderstand 270kΩ ± 1.0% / 125mW, 0805 (2012M) Gehäuse, MPN: RC0805FR-07270KL

    Yageo Dickschicht SMD Festwiderstand 270kΩ ± 1.0% / 125mW, 0805 (2012M) Gehäuse.

    • Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, LSTTL 600 mA 10 → 20V 8-Pin 8-Leiter-PDIP 35ns, MPN: IRS2104PBF

    Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, LSTTL 600 mA 10 → 20V 8-Pin 8-Leiter-PDIP 35ns, MPN: IRS2104PBF

    Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, LSTTL 600 mA 10 → 20V 8-Pin 8-Leiter-PDIP 35ns.

    • Vishay MRS16 Dünnschicht Widerstand 20kΩ ±1% / 0.4W, Temperaturkoeffizient: ±50ppm/°C, MPN: MRS16000C2002FCT00
    • Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, LSTTL 600 mA 10 → 20V 8-Pin 8-Leiter-PDIP 35ns, MPN: IRS2104PBF

    Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, LSTTL 600 mA 10 → 20V 8-Pin 8-Leiter-PDIP 35ns, MPN: IRS2104PBF

    Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, LSTTL 600 mA 10 → 20V 8-Pin 8-Leiter-PDIP 35ns.

    • Vishay MRS16 Dünnschicht Widerstand 20kΩ ±1% / 0.4W, Temperaturkoeffizient: ±50ppm/°C, MPN: MRS16000C2002FCT00