onsemi PowerTrench P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 8 A 2,1 W, 6-Pin MicroFET 2 x 2, Drain-Source-Widerstand max.: 97 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 1.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FDME905PT
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi PowerTrench P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 8 A 2,1 W, 6-Pin MicroFET 2 X 2
Specifications of Onsemi PowerTrench P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 8 A 2,1 W, 6-Pin MicroFET 2 X 2 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |