Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 20 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0304 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiSH892BDN-T1-GE3
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Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 20 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH
Specifications of Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 20 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH | |
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