Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 69,3 A, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S., Drain-Source-Widerstand max.: 0,00856 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiZ340BDT-T1-GE3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 69,3 A, 8-Pin PowerPAIR 3 X 3 S.
Specifications of Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 69,3 A, 8-Pin PowerPAIR 3 X 3 S. | |
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