Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33,6 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L

Name: Vishay - Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33,6 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L, MPN: SQJ211ELP-T1_GE3
Brand: Vishay
SKU: ABDT-155574
Price: 79.08 EUR
Availability: InStock

About The Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33,6 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L, MPN: SQJ211ELP-T1_GE3

Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33,6 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L, MPN: SQJ211ELP-T1_GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

TRACOPOWER THL 3WI DC/DC-Wandler 3W 24 V dc IN, 24V dc OUT / 125mA Durchsteckmontage 1.5kV dc isoliert, Ausgangsspannung: 24V dc, Eingangsspannung: 9 → 36 V dc, Isoliert: Ja, Gehäuse: DIP, Isolationsspannung: 1.5kV dc, Tiefe: 8mm, Länge: 23.8mm, Lastausregelung: ±1%, Wirkungsgrad: 80%, MPN: THL 3-2415WI

Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 701 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 l, Drain-Source-Widerstand max.: 0,00053 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.3V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SQJQ140E-T1_GE3

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Specifications of Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33,6 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L
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Last Updated January 19th, 2025 04:56 am

Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33,6 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L

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Festo VSVA 8033495 Magnetventil 5/2 Way, Monostable G1/8, Elektrisch-betätigt 24V dc.

RS PRO M20 Rundsteckverbinder Buchse 12-polig / 5.0A Kabelmontage, Lötanschluss IP 67, Kontakt Gender: Buchsenkontakt, Anschlussart: Löten, Serie: SF20, Betriebsspannung: 400,0 V, Gehäusematerial: Messing verchromt, Kontaktbeschichtung: Gold

0A Kabelmontage, Lötanschluss IP 67.RS PRO M20 Rundsteckverbinder Buchse 12-polig / 5.

Nebo Tools Akku LED-Taschenlampe LED Schwarz, 500 Lumen, 160 mm, Taschenlampen Typ: Hand, Wiederaufladbar: Ja, Steckertyp: USB-C, MPN: NEB-SPT-1001-G

Nebo Tools Akku LED-Taschenlampe LED Schwarz, 500 Lumen, 160 mm.

Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 701 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 l, Drain-Source-Widerstand max.: 0,00053 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.3V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SQJQ140E-T1_GE3

Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 701 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 l.