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Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 701 A, 4-Pin PowerPAK 8 X 8 L

About The 3V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SQJQ140E-T1_GE3.: 0,00053 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 701 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 l, Drain-Source-Widerstand max.: 0,00053 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.3V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SQJQ140E-T1_GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 701 A, 4-Pin PowerPAK 8 X 8 L

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 701 A, 4-Pin PowerPAK 8 X 8 L

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Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 701 A, 4-Pin PowerPAK 8 X 8 L
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Festo VSVA 8033495 Magnetventil 5/2 Way, Monostable G1/8, Elektrisch-betätigt 24V dc, Magnetspulen-Spannung: 24V dc, MPN: VSVA-B-M52-MZ-A2-1T1L-APX-0.5
    • Omron CP1L-EM SPS CPU, 18 Eing. Relais Ausg.Typ DC Eing.Typ für Serie CP 20,4 → 26,4 V dc
    • SAM R.211 1/4" Vierkant Verlängerung, Länge 100 mm, Finish: Chrom, MPN: R-211

    SAM R.211 1/4" Vierkant Verlängerung, Länge 100 mm, Finish: Chrom, MPN: R-211

    211 1/4" Vierkant Verlängerung, Länge 100 mm.SAM R.

    • AAVID THERMALLOY Kühlkörper 15K/W, 14.99mm x 25.91mm x 9.52mm, SMD, Abmessungen: 14.99 x 25.91 x 9.52mm, MPN: 7106DG/TR
    • RS PRO M20 Rundsteckverbinder Buchse 12-polig / 5.0A Kabelmontage, Lötanschluss IP 67, Kontakt Gender: Buchsenkontakt, Anschlussart: Löten, Serie: SF20, Betriebsspannung: 400,0 V, Gehäusematerial: Messing verchromt, Kontaktbeschichtung: Gold
    • Nebo Tools Akku LED-Taschenlampe LED Schwarz, 500 Lumen, 160 mm, Taschenlampen Typ: Hand, Wiederaufladbar: Ja, Steckertyp: USB-C, MPN: NEB-SPT-1001-G
    • Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 701 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 l, Drain-Source-Widerstand max.: 0,00053 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.3V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SQJQ140E-T1_GE3
    • Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33,6 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L, MPN: SQJ211ELP-T1_GE3

    Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33,6 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L, MPN: SQJ211ELP-T1_GE3

    Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33,6 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L.

    • Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 701 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 l, Drain-Source-Widerstand max.: 0,00053 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.3V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SQJQ140E-T1_GE3
    • Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33,6 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L, MPN: SQJ211ELP-T1_GE3

    Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33,6 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L, MPN: SQJ211ELP-T1_GE3

    Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33,6 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L.