Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 18 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0051 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SQS486CENW-T1_GE3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 18 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W
Specifications of Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 18 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |