Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 18 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W, Drain-Source-Widerstand max.: 0,022 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SQSA12CENW-T1_GE3
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Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 18 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W
Specifications of Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 18 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W | |
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