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Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 7,2 A 9,6 W, 6-Pin DFN2020

About The : 53 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 7,2 A 9,6 W, 6-Pin DFN2020, Gehäusegröße: PQFN, Drain-Source-Widerstand max

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 7,2 A 9,6 W, 6-Pin DFN2020, Gehäusegröße: PQFN, Drain-Source-Widerstand max.: 53 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 0.95mm, MPN: IRLHS2242TRPBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 7,2 A 9,6 W, 6-Pin DFN2020

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Specifications of Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 7,2 A 9,6 W, 6-Pin DFN2020

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Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 7,2 A 9,6 W, 6-Pin DFN2020
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Schneider Electric KBG Nockenschalter-Griff Schwarz für Betätigungskopf, MPN: KBG3H

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    • Phoenix Contact Kabelverschraubung, PG16 TPE Grau 11.5mm/ 15.5mm, IP67, Kontermutter im Lieferumfang enthalten: Ja, MPN: 1853913
    • Phoenix Contact FMC 1.5/17-ST-3.81 Steckbarer Klemmenblock Steckverbinder 17-Kontakte 3.81mm-Raster Gerade, Montagetyp: Kabelmontage, Anschlussart: ZUGFEDER, Nennstrom: 8A, Betriebsspannung: 320 V, Farbe: Grün, Material: Polyamid, Zinn, Breite: 65.21mm, MPN: 1748121
    • KYOCERA AVX, CK, Axial MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 22nF ±10% / 100V dc, Spannung: 100V dc, Abmessungen: 7.37 x 2.29 x 7.37mm, Tiefe: 2.29mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, Anschlussklemmentyp: Durchsteckmontage, MPN: CK06BX223K
    • Wurth Elektronik Würth Elektronik WCAP-FTXH Folienkondensator 560nF 10% / 310V ac, THT, Montageart: Durchsteckmontage, MPN: 890414026004CS
    • The Best Solution Netzkabel, 2-adrig Typ Spiralkabel Schwarz x 0,5 mm², 1.2m, PUR, Mantelmaterial: Polyurethan PUR, Distrelec Product Id: 30222154, MPN: SP-DSR-196
    • Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 7,2 A 9,6 W, 6-Pin DFN2020, Gehäusegröße: PQFN, Drain-Source-Widerstand max.: 53 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 0.95mm, MPN: IRLHS2242TRPBF
    • TE Connectivity HOLCO Metallschicht Widerstand 100Ω ±0.1% / 0.25W, Betriebstemperatur max.: +155°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: H8100RBYA
    • Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 7,2 A 9,6 W, 6-Pin DFN2020, Gehäusegröße: PQFN, Drain-Source-Widerstand max.: 53 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 0.95mm, MPN: IRLHS2242TRPBF
    • TE Connectivity HOLCO Metallschicht Widerstand 100Ω ±0.1% / 0.25W, Betriebstemperatur max.: +155°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: H8100RBYA