Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 246 A 375 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 2,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.7V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.1V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 4.83mm, MPN: IRFS7730TRLPBF
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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 246 A 375 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 246 A 375 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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