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Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 46 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS

About The : -20 V, +20 V, Länge: 10mm, Betriebstemperatur max.: 8,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 46 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS, Drain-Source-Widerstand max.: 8,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: TK46A08N1,S4X(S

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 46 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 46 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS

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Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 46 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS
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Alpha Wire Steuerkabel, 13-adrig x 0,08 mm² Grau, 100ft, 28 AWG, Serie: 6397, Mantelmaterial: PVC, Geschirmt / Ungeschirmt: Geschirmt, MPN: 6397 SL005
    • Littelfuse LA Metalloxid-Varistor, 180pF, 228V, 130V, 11J, Metall / 10A, 1200A max., mm, Ø 9mm, 5.6mm, L. 32mm
    • Schurter Sicherung, nicht rückstellend 7A axial 125V ac/dc Keramik F ø 2.36mm 8mm, Betriebsspannung: 125V ac/dc, Drahtlänge: 34mm, Ausschaltvermögen: 300 A @ 125 V ac/dc, Minimale Betriebstemperatur: -55°C, Maximale Betriebstemperatur: +85°C, Drahtdurchmesser: 0.62mm, MPN: 7010.6440.13
    • Wurth Elektronik WR-TBL Steckbarer Klemmenblock Header 7-Kontakte 5.0mm-Raster Gerade, Raster: 5mm, Anzahl der Reihen: 1, Gehäuseausrichtung: Horizontal, Montagetyp: Leiterplattenmontage, Anschlussart: Löten, Kontaktmaterial: Messing, Kontaktbeschichtung: Zinn, Nennstrom: 20A, MPN: 691312710007
    • Wurth Elektronik WR-TBL Steckbarer Klemmenblock Header 12-Kontakte 5.0mm-Raster Gerade, Montagetyp: PCB, Anschlussart: Löten, Nennstrom: 20.0A, Betriebsspannung: 300,0 V, Kontaktmaterial: Messing, Kontaktbeschichtung: Zinn, MPN: 691312710012
    • Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 42 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS, Drain-Source-Widerstand max.: 9,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: TK42A12N1,S4X(S
    • Alpha Wire Steuerkabel, 3-adrig x 0,25 mm² Grau, 1000ft, 24 AWG, Serie: 6402, Mantelmaterial: PVC, Geschirmt / Ungeschirmt: Geschirmt, MPN: 6402 SL001
    • Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 46 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS, Drain-Source-Widerstand max.: 8,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: TK46A08N1,S4X(S
    • Alpha Wire Steuerkabel, 3-adrig x 0,25 mm² Grau, 1000ft, 24 AWG, Serie: 6402, Mantelmaterial: PVC, Geschirmt / Ungeschirmt: Geschirmt, MPN: 6402 SL001
    • Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 46 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS, Drain-Source-Widerstand max.: 8,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: TK46A08N1,S4X(S