Vishay N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 7,7 A 2,5 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
About The : 200 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: -10 V, +10 V, Länge: 6
Vishay N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 7,7 A 2,5 W, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 200 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -10 V, +10 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IRLU014PBF
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 7,7 A 2,5 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
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Specifications of Vishay N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 7,7 A 2,5 W, 3-Pin IPAK (TO-251) | |
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