Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1,17 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223
About The : -20 V, +20 V, Länge: 6.Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1,17 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max
Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1,17 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 800 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.5mm, MPN: BSP315PH6327XTSA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1,17 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223
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Specifications of Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1,17 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223 | |
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