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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 99 A 143 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The : 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 99 A 143 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 99 A 143 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 8,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Länge: 6.73mm, MPN: IRLR3636TRPBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 99 A 143 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 99 A 143 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 99 A 143 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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