STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 80 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 6,5 m Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodendurchschlagsspannung: 1.5V, MPN: STB80NF55-06T4
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STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 80 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 80 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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