STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 11 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
About The : +150 °C, MPN: STB11NM80T4.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 11 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 400 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 10.4mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: STB11NM80T4
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 11 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Specifications of STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 11 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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