onsemi MegaFET N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 16 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 47 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -10 V, +10 V, Höhe: 2.39mm, Länge: 6.73mm, MPN: RFD16N05LSM9A
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Onsemi MegaFET N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 16 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Onsemi MegaFET N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 16 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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