Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 340 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,00175 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: AUIRFS3004TRL
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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 340 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 340 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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