Infineon CoolMOS™ C3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 156 W, 3-Pin TO-220
About The : 2.Infineon CoolMOS™ C3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 156 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max
Infineon CoolMOS™ C3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 156 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 450 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.9V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.36mm, MPN: SPP11N80C3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS™ C3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 156 W, 3-Pin TO-220
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Infineon CoolMOS™ C3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 156 W, 3-Pin TO-220 | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
