onsemi NTH N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 84 A, 4-Pin TO-247-4, Drain-Source-Widerstand max.: 0,028 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.3, Transistor-Werkstoff: SiC, MPN: NTH4L020N120SC1
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Onsemi NTH N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 84 A, 4-Pin TO-247-4
Specifications of Onsemi NTH N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 84 A, 4-Pin TO-247-4 | |
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