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Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, SMD MOSFET 550 V / 6,6 A 5 W, 3-Pin SOT-223

About The : 950 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, SMD MOSFET 550 V / 6,6 A 5 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 950 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 6.7mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IPN50R950CEATMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, SMD MOSFET 550 V / 6,6 A 5 W, 3-Pin SOT-223

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Specifications of Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, SMD MOSFET 550 V / 6,6 A 5 W, 3-Pin SOT-223

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Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, SMD MOSFET 550 V / 6,6 A 5 W, 3-Pin SOT-223
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