Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 6,8 A 61 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 1 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Diodendurchschlagsspannung: 0.9V, Höhe: 2.41mm, MPN: IPD60R1K0CEAUMA1
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Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 6,8 A 61 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 6,8 A 61 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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