Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 7,9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 10.41mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: SQD50034E_GE3
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Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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