onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 35 A 104 W, 8-Pin PQFN8, Gehäusegröße: Leistung 56, Drain-Source-Widerstand max.: 34 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.05mm, MPN: FDMS86200
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Onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 35 A 104 W, 8-Pin PQFN8
Specifications of Onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 35 A 104 W, 8-Pin PQFN8 | |
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