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Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 1,5 A, 3-Pin IPAK (TO-251)

About The : 4,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 1,5 A, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max

Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 1,5 A, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 4,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IPU80R4K5P7AKMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 1,5 A, 3-Pin IPAK (TO-251)

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Specifications of Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 1,5 A, 3-Pin IPAK (TO-251)

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Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 1,5 A, 3-Pin IPAK (TO-251)
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3M Aluminiumoxid Schleifscheibe Ø 125mm, Korngröße P36, Klasse: Grob, Drehzahl max.: 12000U/min, Serie: Cubitron™ II, Modell: 3M™ Cubitron™ II 987C, MPN: 3M 987C diam 125, 36+
    • HARTING D-Sub Standard Rundsteckverbinderkontakt Signal Buchse Größe 1.8mm, für D-Sub-Steckverbinder Crimp, 28 →, Gender: Female, Drahtgröße: 28 24 AWG, Länge: 13.6mm, Kontaktbeschichtung: Gold über Nickel, MPN: 09670007476
    • Eaton Drucktaster Ø 36.5mm, Rot Flach Pilzkopf Kunststoff, IP67, IP Schutzart: IP67, IP69K, Betriebstemperatur max.: -25°C, Betriebstemperatur min.: 70°C, MPN: 216751 M22-DRP-R-X0
    • HARTING D-Sub Standard Rundsteckverbinderkontakt Signal Buchse Größe 1.8mm, für D-Sub-Steckverbinder Crimp, 26 →, Drahtgröße: 26 → 22 AWG, Länge: 13.6mm, Kontaktbeschichtung: Gold über Nickel, MPN: 09670005476
    • HARTING D-Sub Standard Rundsteckverbinderkontakt Signal Buchse Größe 1.8mm, für D-Sub-Steckverbinder Crimp, 24 →, Drahtgröße: 24 → 20 AWG, Länge: 13.6mm, Kontaktbeschichtung: Gold über Nickel, MPN: 09670008476
    • Siemens SENTRON 3VA1, Leistungsschalter MCCB 4-polig, 100A / Abschaltvermögen 70 kA, DIN-Hutschiene, Better World-Kriterium: Längere Produktlebensdauer, Spart Energie, Better World-Produkt: Ja, MPN: 3VA11106FD460AA0
    • Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 1,5 A, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 4,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IPU80R4K5P7AKMA1
    • Siemens SENTRON 3VA1, Leistungsschalter MCCB 4-polig, 100A / Abschaltvermögen 70 kA, Fest, Better World-Kriterium: Längere Produktlebensdauer, Spart Energie, Better World-Produkt: Ja, MPN: 3VA11106ED460AA0
    • Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 1,5 A, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 4,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IPU80R4K5P7AKMA1
    • Siemens SENTRON 3VA1, Leistungsschalter MCCB 4-polig, 100A / Abschaltvermögen 70 kA, Fest, Better World-Kriterium: Längere Produktlebensdauer, Spart Energie, Better World-Produkt: Ja, MPN: 3VA11106ED460AA0