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Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 26 A, 3-Pin TO-247

About The : 0,094 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.7V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IMW65R072M1HXKSA1

Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 26 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,094 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5.7V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IMW65R072M1HXKSA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 26 A, 3-Pin TO-247

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Specifications of Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 26 A, 3-Pin TO-247

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