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Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 1,9 A 10 → 20V 8-Pin SOIC 35ns

About The Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 1,9 A 10 → 20V 8-Pin SOIC 35ns, MPN: AUIRS21811STR

Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 1,9 A 10 → 20V 8-Pin SOIC 35ns, MPN: AUIRS21811STR

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Stromversorgung > Gate-Treiber

Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 1,9 A 10 → 20V 8-Pin SOIC 35ns

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Specifications of Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 1,9 A 10 → 20V 8-Pin SOIC 35ns

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Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 1,9 A 10 → 20V 8-Pin SOIC 35ns
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Idec Switch,Pushbutton,Illuminated,RECTANGLE,RED,MAINTAINED, MPN: LA3L-A1C64-R

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    • TE Connectivity Einzeladerleitung 1,3 mm², 16 AWG 300m Weiß Polyalkene isoliert Ø 1.96mm 19/0,3 mm Litzen, Betriebsspannung: 600 V, Betriebstemperatur max.: +120°C, Leitermaterial: Kupfer verzinnt, Kabeltyp: Für hohe Temperaturen, Verhalten im Brandfall: Schwer entflammbar, geringe Rauchdichte, selbstverlöschend, Isolierungsstärke: 0.2mm, Abschirmtyp: Ungeschirmt, MPN: 44M9976-16-9
    • APEM Tafelmontage Kippschalter 2-poliger Ein/Ausschalter Ein-Aus-Ein 15 A @ 125 V AC, IP 67, Schraub, Kontaktanordnung: DPST, Betätigerlänge: 17.5mm, Betätigermaterial: Aluminiumeloxal/Messing, Nennspannung: 125 V ac, 28V dc, Kontaktmaterial: Silberlegierung, Kontaktwiderstand: 10mΩ, Betriebstemperatur max.: +85°C, Lebensdauer mechanisch: 40000Operations, Betriebstemperatur min.: -40°C, Betriebstemperaturbereich: -40 → +85°C, MPN: 3549-001N000
    • Phoenix Contact WMTB-AL (D30) Kabelmarkierung für Kabelbinder, Kabelbinder, Beschriftung: Unlabeled, Silber, Ø 2.4mm -, Kabeldurchmesser max.: 136mm, Kabeldurchmesserbereich: 2.4 → 136mm, MPN: 0830804
    • Yageo, , AEC-Q200 Dickschicht Widerstand 1000kΩ ±5% / 0.125W, 0805 Gehäuse, MPN: AC0805JR-071ML

    Yageo, , AEC-Q200 Dickschicht Widerstand 1000kΩ ±5% / 0.125W, 0805 Gehäuse, MPN: AC0805JR-071ML

    125W, 0805 Gehäuse.Yageo, , AEC-Q200 Dickschicht Widerstand 1000kΩ ±5% / 0.

    • Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 2,5 A 10 → 20V 16-Pin SOIC 15ns, MPN: AUIRS2113STR

    Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 2,5 A 10 → 20V 16-Pin SOIC 15ns, MPN: AUIRS2113STR

    Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 2,5 A 10 → 20V 16-Pin SOIC 15ns.

    • Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 1,9 A 10 → 20V 8-Pin SOIC 35ns, MPN: AUIRS21811STR

    Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 1,9 A 10 → 20V 8-Pin SOIC 35ns, MPN: AUIRS21811STR

    Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 1,9 A 10 → 20V 8-Pin SOIC 35ns.

    • Schneider Electric Vibrationsdämpfer, Stauchlast: 1000kg, MPN: NSYAEBP2F88
    • Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 1,9 A 10 → 20V 8-Pin SOIC 35ns, MPN: AUIRS21811STR

    Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 1,9 A 10 → 20V 8-Pin SOIC 35ns, MPN: AUIRS21811STR

    Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 1,9 A 10 → 20V 8-Pin SOIC 35ns.

    • Schneider Electric Vibrationsdämpfer, Stauchlast: 1000kg, MPN: NSYAEBP2F88