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Baumer Näherungssensor Ultraschall, Kubisch 1 M Push-Pull 12 → 30 V Dc / 35 MA, IP67

About The .1mm, Gleichspannung max

Baumer Näherungssensor Ultraschall, Kubisch 1 m Push-Pull 12 → 30 V dc / 35 mA, IP67, Verbindungstyp: M12, Länge: 18mm, Gehäusematerial: ASA, PMMA, Breite: 45.1mm, Gleichspannung max.: 30V, Betriebstemperatur min.: -25°C, Tiefe: 32.2mm, Betriebstemperatur max.: +65°C, Schaltfrequenz max.: 220kHz, MPN: U500.PA0-GP1B.72O

Elektromechanik & Automation und Kabel > Automation > Sensoren > Näherungsschalter

Baumer Näherungssensor Ultraschall, Kubisch 1 M Push-Pull 12 → 30 V Dc / 35 MA, IP67

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Specifications of Baumer Näherungssensor Ultraschall, Kubisch 1 M Push-Pull 12 → 30 V Dc / 35 MA, IP67

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Baumer Näherungssensor Ultraschall, Kubisch 1 M Push-Pull 12 → 30 V Dc / 35 MA, IP67
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KTR Flexibles Kupplungselement 5Nm 20mm Klauenkupplung 0.9° +0.8 → -0.4mm 0.08mm, MPN: ROTEXGS9-98SHEL

KTR Flexibles Kupplungselement 5Nm 20mm Klauenkupplung 0.9° +0.8 → -0.4mm 0.08mm, MPN: ROTEXGS9-98SHEL

9° +0.KTR Flexibles Kupplungselement 5Nm 20mm Klauenkupplung 0.08mm.4mm 0.

    • RS PRO Flachbandkabel FFC, 10-adrig, Raster 0.5mm Nicht abgeschlossen, Länge: 100mm

    RS PRO Flachbandkabel FFC, 10-adrig, Raster 0.5mm Nicht abgeschlossen, Länge: 100mm

    RS PRO Flachbandkabel FFC, 10-adrig, Raster 0.5mm Nicht abgeschlossen.

    • Panasonic ETQP8M SMD Induktivität Drosselspule, 2,5 μH 27.7A AEC-Q200 mit Metallverbund-Kern 12.6mm / ±20%, Tiefe: 13.1mm, Geschirmt: Ja, MPN: ETQP8M2R5JFA

    Panasonic ETQP8M SMD Induktivität Drosselspule, 2,5 μH 27.7A AEC-Q200 mit Metallverbund-Kern 12.6mm / ±20%, Tiefe: 13.1mm, Geschirmt: Ja, MPN: ETQP8M2R5JFA

    Panasonic ETQP8M SMD Induktivität Drosselspule, 2,5 μH 27.6mm / ±20%.7A AEC-Q200 mit Metallverbund-Kern 12.

    • Vishay N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 30 A 35 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 100 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 10.3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SIHA100N60E-GE3
    • Vishay N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 30 A 35 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 100 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 10.3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SIHA100N60E-GE3