onsemi PowerTrench N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,9 A; 2,7 A 960 mW, 6-Pin SOT-23, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.: 130 mΩ, 270 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Höhe: 1mm, Länge: 3mm, MPN: FDC6327C
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Onsemi PowerTrench N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,9 A; 2,7 A 960 MW, 6-Pin SOT-23
Specifications of Onsemi PowerTrench N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,9 A; 2,7 A 960 MW, 6-Pin SOT-23 | |
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