Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 34 A, 3-Pin TO-247
About The .: 0,08 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 34 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,08 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, MPN: AIMW120R080M1XKSA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 34 A, 3-Pin TO-247
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Specifications of Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 34 A, 3-Pin TO-247 | |
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