Infineon IMBF1 N-Kanal, SMD MOSFET 1700 V / 5,2 A, 7-Pin TO-263-7, Drain-Source-Widerstand max.: 1000 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, MPN: IMBF170R1K0M1XTMA1
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Infineon IMBF1 N-Kanal, SMD MOSFET 1700 V / 5,2 A, 7-Pin TO-263-7
Specifications of Infineon IMBF1 N-Kanal, SMD MOSFET 1700 V / 5,2 A, 7-Pin TO-263-7 | |
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