Infineon IMW1 N-Kanal, THT MOSFET 1700 V / 52 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 45 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, MPN: IMW120R045M1XKSA1
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Infineon IMW1 N-Kanal, THT MOSFET 1700 V / 52 A, 3-Pin TO-247
Specifications of Infineon IMW1 N-Kanal, THT MOSFET 1700 V / 52 A, 3-Pin TO-247 | |
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