Toshiba U-MOSVIII-H N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 22 A 27 W, 8-Pin TSON, Drain-Source-Widerstand max.: 30 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3.1mm, MPN: TPN30008NH,LQ(S
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Toshiba U-MOSVIII-H N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 22 A 27 W, 8-Pin TSON
Specifications of Toshiba U-MOSVIII-H N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 22 A 27 W, 8-Pin TSON | |
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