ROHM RYC002N05 N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 200 MA 350 MW, 3-Pin SOT-23
About The : 0.8V, Gate-Schwellenspannung min
ROHM RYC002N05 N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 200 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 9 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 0.8V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 3.1mm, MPN: RYC002N05T316
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
ROHM RYC002N05 N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 200 MA 350 MW, 3-Pin SOT-23
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Specifications of ROHM RYC002N05 N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 200 MA 350 MW, 3-Pin SOT-23 | |
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