ROHM SCT2H12NZ N-Kanal, THT MOSFET 1700 V / 3,7 A 35 W, 3-Pin TO-3PFM, Drain-Source-Widerstand max.: 1,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -6 V, +22 V, Länge: 16mm, MPN: SCT2H12NZGC11
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ROHM SCT2H12NZ N-Kanal, THT MOSFET 1700 V / 3,7 A 35 W, 3-Pin TO-3PFM
Specifications of ROHM SCT2H12NZ N-Kanal, THT MOSFET 1700 V / 3,7 A 35 W, 3-Pin TO-3PFM | |
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