Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A, 8-Pin TSDSON

Name: Infineon - Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A, 8-Pin TSDSON, Channel-Modus: Enhancement, Anzahl Der Elemente Pro Chip: 1, MPN: ISZ040N03L5ISATMA1
Brand: Infineon
SKU: ABDT-194083
Price: 1440.00 EUR
Availability: InStock

About The Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A, 8-Pin TSDSON, Channel-Modus: Enhancement, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: ISZ040N03L5ISATMA1

Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A, 8-Pin TSDSON, Channel-Modus: Enhancement, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: ISZ040N03L5ISATMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

RS PRO Gewindereparatur-Einsatz, M10 x 1.5, Bohrer Gr. 10.3 10mm

EPIC H-BE Schwere Steckverbinder Steckersatz, Stecker 10-polig / 2-reihig, 440 V / 16A, Schraub, Gewindegröße: M20, Kontakt-Format: 10P+E, Schutzart: IP65, Gehäuseausrichtung: Seiteneingang, Anschlussart: Schrauben, Kontaktmaterial: Kupferlegierung, Kontaktbeschichtung: Versilbert, MPN: 10192000+19042000+71200200

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Specifications of Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A, 8-Pin TSDSON
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Last Updated December 27th, 2024 02:54 am

Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A, 8-Pin TSDSON

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Honeywell Piezoresistiver Drucksensor, 1723kPa 689kPa SMD 8-Pin SMD, MPN: HSCMRRD100PDSA3

Honeywell Piezoresistiver Drucksensor, 1723kPa 689kPa SMD 8-Pin SMD.

EPCOS B41858, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 330μF / 50V dc, Ø 10mm, bis 105°C, Kapazität: 330µF, Spannung: 50V dc, Montageart: Radial, Durchsteckmontage, Abmessungen: 10 (Dia.) x 20mm, Betriebstemperatur max.: +105°C, Automobilstandard: AEC-Q200, MPN: B41858C6337M000

EPCOS B41858, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 330μF / 50V dc, Ø 10mm, bis 105°C.

Panasonic ERJP6W,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 18Ω ±1% / 0.5W ±200ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: ERJP6WF18R0V

5W ±200ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse.Panasonic ERJP6W,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 18Ω ±1% / 0.

Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 63 A, 8-Pin Herr TDSON, Channel-Modus: Enhancement, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: ISC045N03L5SATMA1

Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 63 A, 8-Pin Herr TDSON.

Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 63 A, 8-Pin Herr TDSON, Channel-Modus: Enhancement, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: ISC045N03L5SATMA1

Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 63 A, 8-Pin Herr TDSON.

Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A, 8-Pin TSDSON

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Panasonic ERJP6W,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 18Ω ±1% / 0.5W ±200ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: ERJP6WF18R0V

Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 63 A, 8-Pin Herr TDSON, Channel-Modus: Enhancement, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: ISC045N03L5SATMA1

Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 63 A, 8-Pin Herr TDSON, Channel-Modus: Enhancement, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: ISC045N03L5SATMA1