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Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 6 A 27,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

About The 5V, Gate-Source Spannung max.: 1

Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 6 A 27,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 60 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Automobilstandard: AEC-Q101, Diodendurchschlagsspannung: 1.1V, MPN: SQS966ENW-T1_GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 6 A 27,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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Specifications of Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 6 A 27,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 6 A 27,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
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ABB SU200 M Leitungsschutzschalter Typ C, Pol 2 35A 440V, Abschaltvermögen 15 kA, DC-Nennspannung: 96V, MPN: A993115

ABB SU200 M Leitungsschutzschalter Typ C, Pol 2 35A 440V, Abschaltvermögen 15 kA, DC-Nennspannung: 96V, MPN: A993115

ABB SU200 M Leitungsschutzschalter Typ C, Pol 2 35A 440V, Abschaltvermögen 15 kA.

    • TE Connectivity AMPSEAL 16 Automotive, Kfz-Steckverbinder, Anschluss, Buchse, 24-polig / 4-reihig, 25A, Schutzart: IP6K9K, MPN: 2203859-4

    TE Connectivity AMPSEAL 16 Automotive, Kfz-Steckverbinder, Anschluss, Buchse, 24-polig / 4-reihig, 25A, Schutzart: IP6K9K, MPN: 2203859-4

    TE Connectivity AMPSEAL 16 Automotive, Kfz-Steckverbinder, Anschluss, Buchse, 24-polig / 4-reihig, 25A.

    • TRACOPOWER TXM 100 Schaltnetzteil, 5V dc / 20A 100W 90 → 264V ac Geschlossen, Gehäusemontage, Ausgangsspannung: 5V dc, Länge: 129mm, Breite: 99mm, Tiefe: 38mm, Wirkungsgrad: 84%, Temperatur max.: +60°C, Temperatur min.: -20°C, Gewicht: 455g, MPN: TXM 100-105
    • Phoenix Contact PTRE Polyamid Verbindungsklemme, Klemmanschluss 10-polig, Raster 8.2mm 20→ 8 AWG / 30A, Anschlussart: Einstecken, Montagetyp: DIN-Hutschiene, Betriebsspannung: 400 V, Drahtschutz: Ja, Gender: Buchse, MPN: 3069850
    • Microchip 32kbit EEPROM-Speicherbaustein, Seriell-SPI Interface, SOIC, 50ns SMD 4K x 8 Bit, 4k x 8-Pin 8bit, MPN: 25AA320A-I/SN

    Microchip 32kbit EEPROM-Speicherbaustein, Seriell-SPI Interface, SOIC, 50ns SMD 4K x 8 Bit, 4k x 8-Pin 8bit, MPN: 25AA320A-I/SN

    Microchip 32kbit EEPROM-Speicherbaustein, Seriell-SPI Interface, SOIC, 50ns SMD 4K x 8 Bit, 4k x 8-Pin 8bit.

    • MEAN WELL MPM-65 Schaltnetzteil, 24V dc / 2.71A 65W 80 → 264V ac Gekapselt, Medizin-Zulassung, Ausgangsspannung: 24V dc, Medizintechnische Zulassung: Ja, Distrelec Product Id: 30230000, MPN: MPM-65-24ST
    • Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 6 A 27,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 60 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Automobilstandard: AEC-Q101, Diodendurchschlagsspannung: 1.1V, MPN: SQS966ENW-T1_GE3
    • onsemi 4bit Register 4000 Transparent SR Typ 3 Zustände, SOIC 24-Pin, Polarität: Inverting, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 15.54 x 7.6 x 2.36mm, Länge: 15.54mm, Arbeitsspannnung max.: 18 V, Betriebstemperatur max.: +125 °C, MPN: MC14515BDWR2G
    • Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 6 A 27,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 60 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Automobilstandard: AEC-Q101, Diodendurchschlagsspannung: 1.1V, MPN: SQS966ENW-T1_GE3
    • onsemi 4bit Register 4000 Transparent SR Typ 3 Zustände, SOIC 24-Pin, Polarität: Inverting, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 15.54 x 7.6 x 2.36mm, Länge: 15.54mm, Arbeitsspannnung max.: 18 V, Betriebstemperatur max.: +125 °C, MPN: MC14515BDWR2G