Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 40 V / 90 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0035 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 20V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: IPC90N04S53R6ATMA1
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Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 40 V / 90 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6
Specifications of Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 40 V / 90 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6 | |
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